WE05D8N-B 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET),專為高頻和高效能應(yīng)用設(shè)�(jì)。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,該器件具有更低的導(dǎo)通電�、更快的開關(guān)速度以及更高的工作頻率,適用于電源轉(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)��
這款 GaN 晶體管采用小尺寸封裝,能夠顯著提高功率密度并降低系統(tǒng)�(jí)損�,從而實(shí)�(xiàn)更高效的電力傳輸�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:160mΩ
柵極電荷�24nC
開關(guān)速度:小�25ns
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
WE05D8N-B 具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:600V 的額定值確保其在高電壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
2. 低導(dǎo)通電阻:160mΩ 的典型值減少了傳導(dǎo)損耗,提高了整體效��
3. 快速開�(guān)性能:得益于 GaN 材料的優(yōu)異特性,該器件支� MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)��
4. 小型化設(shè)�(jì):優(yōu)化的封裝形式有助于減� PCB 占用面積,并�(jiǎn)化熱管理�
5. 高可靠性:通過�(yán)格測(cè)試以保證�(zhǎng)期使用的�(wěn)定�,尤其是在高溫條件下表現(xiàn)突出�
6. 寬工作溫度范圍:� -55°C � +150°C 的結(jié)溫范圍使其適用于各種極端條件下的�(chǎng)��
WE05D8N-B 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高頻工作的�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,例如用于服�(wù)器、通信�(shè)備或工業(yè)控制的模��
3. 光伏逆變器中的功率級(jí)組件�
4. 電動(dòng)汽車充電站及車載充電��
5. 無線充電系統(tǒng)�
6. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)與負(fù)載切換電��
WEG008N10B, EPC2045