MAL215097701E3 是由 ON Semiconductor 提供的一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件廣泛�(yīng)用于需要高效開(kāi)�(guān)性能的場(chǎng)�,例如電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器等。此 MOSFET 采用了先�(jìn)的制造工�,確保其具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,從而在各種功率�(yīng)用中提供卓越的性能�
型號(hào):MAL215097701E3
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�48A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.4mΩ @ Vgs=10V
總功�(Ptot)�175W
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
MAL215097701E3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,適用于現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換設(shè)�(jì)�
3. 高電流處理能�,能夠承受高�(dá) 48A 的連續(xù)漏極電流�
4. 具備良好的熱�(wěn)定性,適合高溫�(huán)境下�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 封裝采用 TO-263 (D2PAK),便于安裝和散熱管理�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
4. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
5. 高效能源�(zhuǎn)換裝置,如太�(yáng)能逆變��
6. LED 照明�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)元件�
NTMFS4C692, IRF3205