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MAL215097701E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 16:08:57 查看 閱讀�31

MAL215097701E3 是由 ON Semiconductor 提供的一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件廣泛�(yīng)用于需要高效開(kāi)�(guān)性能的場(chǎng)�,例如電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器等。此 MOSFET 采用了先�(jìn)的制造工�,確保其具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,從而在各種功率�(yīng)用中提供卓越的性能�

參數(shù)

型號(hào):MAL215097701E3
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�48A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.4mΩ @ Vgs=10V
  總功�(Ptot)�175W
  工作溫度范圍�-55°C to +175°C

特�

MAL215097701E3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,適用于現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換設(shè)�(jì)�
  3. 高電流處理能�,能夠承受高�(dá) 48A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 具備良好的熱�(wěn)定性,適合高溫�(huán)境下�(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. 封裝采用 TO-263 (D2PAK),便于安裝和散熱管理�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
  5. 高效能源�(zhuǎn)換裝置,如太�(yáng)能逆變��
  6. LED 照明�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)元件�

替代型號(hào)

NTMFS4C692, IRF3205

mal215097701e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mal215097701e3資料 更多>

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mal215097701e3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �16.14000剪切帶(CT�500 : �7.60646卷帶(TR�
  • 系列150 CRZ
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容47 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定80 V
  • ESR(等效串�(lián)電阻�-
  • 不同溫度�(shí)使用壽命105°C �(shí)� 3000 小時(shí)
  • 工作溫度-40°C ~ 105°C
  • 極化極化
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 不同低頻�(shí)紋波電流-
  • 不同高頻�(shí)紋波電流-
  • 阻抗800 mOhms
  • 引線間距-
  • 大小 / 尺寸0.394" 直徑�10.00mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)0.413"�10.50mm�
  • 表面貼裝焊盤(pán)尺寸0.394" �(zhǎng) x 0.394" 寬(10.00mm x 10.00mm�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼徑向,Can - SMD