VR75C0201C0G500NAT 是一款高性能� MOSFET �(chǎng)效應(yīng)晶體�,主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種需要高效能和高可靠性的電子�(shè)��
這款 MOSFET 器件通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)景中。其封裝形式和電氣特性使其非常適合緊湊型�(shè)�(jì)�
型號(hào):VR75C0201C0G500NAT
類型:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電�(VDS)�30V
最大柵源電�(VGS):�20V
連續(xù)漏極電流(ID)�48A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�1.2mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
總功�(Ptot)�70W
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
VR75C0201C0G500NAT 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,確保在大功率應(yīng)用中的穩(wěn)定運(yùn)行�
3. 快速開�(guān)性能,降低開�(guān)損��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
5. 寬溫度范圍適�(yīng)�,能夠在極端條件下保持性能�
6. 封裝緊湊,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
這些特性使� VR75C0201C0G500NAT 成為眾多功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�
該元器件廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 汽車電子系統(tǒng),例如發(fā)�(dòng)�(jī)控制單元(ECU) 和電�(dòng)助力�(zhuǎn)�(EPS) 系統(tǒng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),包括保�(hù)電路和充放電管理�
5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊�
6. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��
VR75C0201C0G500NAT 的高性能和可靠性使其成為多種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景下的關(guān)鍵組��
VR75C0201C0G500NAH, IRF540N, FDP17N10