VND830EH是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TO-252封裝形式,廣泛應用于需要高效開關和低導通電阻的電路設計�。其主要特點包括高擊穿電�、低導通電阻以及出色的開關性能,適用于電源管理、電機驅動、負載開關等多種應用場合�
這款MOSFET適合在中小功率場景下使用,能夠提供較高的電流承載能力和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�3.9A
導通電阻:120mΩ
柵極電荷�7nC
開關時間:典型值ton=18ns,toff=13ns
工作結溫范圍�-55℃至+150�
VND830EH具有以下關鍵特性:
1. 高耐壓能力:最大漏源電壓為40V,確保在各種電路�(huán)境下具備良好的可靠��
2. 低導通電阻:僅為120mΩ,可減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開關速度:由于較低的柵極電荷和短開關時間,適用于高頻應用�
4. 小型封裝:TO-252封裝使其適合空間受限的設計方��
5. 寬溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的工作�(huán)�,適應性強�
6. �(wěn)定性強:經過嚴格篩選和測試,保證長期使用的�(wěn)定性�
VND830EH適用于多種電子設備和系統(tǒng),例如:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器或功率級開關�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于電池保護和充放電控制�
3. 電機驅動電路,特別是在小型直流電機控制方��
4. 負載開關和保護電�,用以實�(xiàn)快速開�/關閉功能�
5. LED驅動器和背光控制,提供高效的電流調節(jié)�
6. 各類消費電子產品中的電源管理和信號切��
VNQ100ENH, FDN337N