GA1206A821JXEBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率開關(guān)應用設計。該器件采用先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適用于各類電源管理和電機�(qū)動場��
該型號屬于增強型N溝道MOSFET,其設計�(yōu)化了在高頻開�(guān)條件下的性能表現(xiàn),同時具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用�,適合要求嚴格的工業(yè)及消費類電子應用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻(典型值)�8.2mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:ton=19ns, toff=47ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA1206A821JXEBT31G的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻Rds(on),有效降低功耗�
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操作,提升系統(tǒng)效率�
3. 高電流處理能�,滿足大功率應用需求�
4. 強大的熱�(wěn)定�,確保在極端溫度條件下的可靠運行�
5. 緊湊封裝設計,節(jié)省PCB空間,便于集成到各種電路��
6. 高耐壓能力,提供額外的安全裕度,防止過壓損��
7. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該型號廣泛應用于以下領域�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)元件�
3. 電機�(qū)動和控制電路中的功率開關(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開關(guān)或保護開�(guān)�
5. 各種工業(yè)自動化設備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
6. 汽車電子中的高可靠性功率管理單��
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應用場��
IRFZ44N
FDP5500
AO3400