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時(shí)間：2025/5/22 1:19:26
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IRF7413UTRPBF是一款高性能的雙N溝道MOSFET芯片，采用微型PowerDI-8封裝技術(shù)。這款器件專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，能夠提供極低的導(dǎo)通電阻和高切換速度，適用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理領(lǐng)域。IRF7413UTRPBF通過將兩個(gè)MOSFET集成在一個(gè)封裝中，減少了電路板空間占用并簡化了設(shè)計(jì)流程。
該芯片具有出色的熱性能和電氣特性，非常適合要求高效率和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場景。
最大漏源電壓：20V
最大柵源電壓：±6V
連續(xù)漏極電流（每個(gè)FET）：12A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
總柵極電荷：35nC（典型值）
開關(guān)頻率：高達(dá)1MHz
工作結(jié)溫范圍：-55℃至150℃
IRF7413UTRPBF的核心優(yōu)勢(shì)在于其超低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性，這使得它在同步整流和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著降低功率損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力，支持高達(dá)1MHz的工作頻率，滿足現(xiàn)代高頻電源轉(zhuǎn)換需求。
3. 雙MOSFET集成設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間，優(yōu)化布局靈活性。
4. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在極端溫度條件下保持良好性能。
5. 小型化PowerDI-8封裝，適合高密度設(shè)計(jì)需求。
這些特性共同確保了IRF7413UTRPBF成為高效電源管理的理想選擇。
IRF7413UTRPBF廣泛應(yīng)用于各類需要高效能和小型化的電子設(shè)備中：
1. 筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的電源適配器。
2. 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換模塊。
3. 消費(fèi)電子產(chǎn)品如平板電視、游戲主機(jī)的開關(guān)電源。
4. 各種同步整流電路和負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器。
5. 電池充電管理系統(tǒng)和便攜式設(shè)備電源解決方案。
憑借其優(yōu)越的性能指標(biāo)，IRF7413UTRPBF成為了許多高效率、高功率密度應(yīng)用場合的最佳選擇之一。
IRF7407TRPBF, IRF7409TRPBF
