VND670SP是一種N溝道增強型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-252封裝形式,適用于多種電力電子�(yīng)�。由于其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,VND670SP非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及其他需要高效功率管理的場景�
VND670SP的主要特點是其在較低電壓下的�(yōu)異性能表現(xiàn),能夠提供較高的電流處理能力和良好的熱穩(wěn)定�。這種器件的設(shè)計使其在緊湊型設(shè)計中表現(xiàn)出色,同時具備出色的耐用性和可靠��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�8.5A
�(dǎo)通電阻:13mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗:2.2W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳輸和最小化的功率損��
2. 高開�(guān)速度降低了開�(guān)過程中的能量損耗�
3. 提供了出色的熱穩(wěn)定性和魯棒�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
4. 小型化封裝設(shè)計,節(jié)省PCB空間,適合高密度電路布局�
5. �(nèi)置反向二極管功能,可減少外部元件需求并�(yōu)化電路設(shè)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
1. 開關(guān)電源和穩(wěn)壓器�(shè)計中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和降�/升壓功能實現(xiàn)�
3. 各類電池供電�(shè)備中的負載切換控制�
4. 電機�(qū)動中的功率級控制,如小型直流無刷電機�(qū)��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電路�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號放大和�(qū)動電��
7. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)動電路設(shè)��
IRF540N, FQP17N06, PSMN022-60YS