VN02NSP是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,采用SOT-23封裝形式。該器件主要應用于低電壓、小信號開關和功率管理電路中,因其低導通電阻和快速開關特性而受到廣泛歡�。VN02NSP適用于各種消費類電子�(chǎn)品以及工�(yè)控制領域中的小型化設計�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�180mA
導通電�(Rds(on))�1.9Ω(在Vgs=4.5V時)
柵極電荷(Qg)�1nC
功�(Pd)�360mW
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+150�
VN02NSP具有非常低的導通電�,在給定的工作條件下可以顯著減少功率損耗�
其快速開關能力使其非常適合高頻應�,例如開關電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
由于采用了SOT-23的小型封裝,它能夠節(jié)省PCB空間并便于安��
此外,該器件具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常運行�
VN02NSP廣泛用于便攜式設備中的負載開�、電池保護電�、電機驅(qū)動以及LED�(qū)動等場景�
它也常見于音頻設�、通信設備及計算機外設等需要高效功率管理的地方�
在工�(yè)領域,VN02NSP可用于傳感器接口、繼電器�(qū)動和其他小型控制電路�
VN02MS, VN03NSP, BSS138