最大漏源電壓：600V
　　連續(xù)漏極電流：3.2A
　　導(dǎo)通電阻：110mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：無(wú)（因 GaN 技術(shù)無(wú)體二極管）
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +125°C

VJ0603D111MLAAT 的主要特性包括：
　　1. 高效的氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，提供卓越的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗。
　　2. 寬電壓范圍操作，支持高達(dá) 600V 的漏源電壓，滿足多種應(yīng)用需求。
　　3. 極低的導(dǎo)通電阻（僅 110mΩ），從而減少導(dǎo)通時(shí)的能量損失。
　　4. 小巧緊湊的封裝形式，適合高密度設(shè)計(jì)，并兼容表面貼裝工藝。
　　5. 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制，提升器件在極端條件下的可靠性。
　　6. 不含傳統(tǒng)硅 MOSFET 中的體二極管，因此沒(méi)有反向恢復(fù)損耗問(wèn)題。
　　7. 良好的熱管理能力，確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

VJ0603D111MLAAT 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)，如服務(wù)器、通信設(shè)備中的高效電源模塊。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，特別是對(duì)體積和效率有嚴(yán)格要求的設(shè)計(jì)。
　　3. 太陽(yáng)能微型逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換部分。
　　4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的快充適配器，提供更小尺寸和更高效率。
　　5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 LED 照明控制電路。
　　6. 高頻無(wú)線充電器和其他新興高頻應(yīng)用。

VJ0603D111MLAATB, VJ0603D111MLAAC