HVU357-8TRF.B是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高壓開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。其封裝形式為T(mén)O-220,適用于大電流、高電壓的工作環(huán)境。
這款MOSFET通常用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)等應(yīng)用中,能夠在高頻條件下提供卓越的性能表現(xiàn)。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷:35nC
開(kāi)關(guān)速度:40ns
工作溫度范圍:-55℃ to 150℃
HVU357-8TRF.B具有以下關(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,支持高達(dá)650V的漏源電壓,適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流情況下能夠降低功耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,有效減少開(kāi)關(guān)損耗,提升整體效率。
4. 穩(wěn)定的電氣性能,在高溫環(huán)境下仍能保持良好的工作狀態(tài)。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
該芯片廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如適配器和充電器。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
3. 逆變器設(shè)計(jì),包括太陽(yáng)能逆變器。
4. 各類AC/DC轉(zhuǎn)換器及PFC電路。
5. 高效負(fù)載切換和保護(hù)電路。
IRF840,
STP10NM65,
FQP17N65