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時(shí)間：2025/5/30 19:44:34
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VJ0402D100FXXAP 是 Vishay 公司生產(chǎn)的一款雙通道 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，非常適合于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。其緊湊的封裝設(shè)計(jì)有助于節(jié)省電路板空間，同時(shí)提高了整體系統(tǒng)性能。
VJ0402D100FXXAP 的主要應(yīng)用包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載切換、電機(jī)控制以及電池管理等。由于其低導(dǎo)通電阻和高效率特性，它在便攜式設(shè)備和工業(yè)電源中得到了廣泛應(yīng)用。
型號(hào)：VJ0402D100FXXAP
制造商：Vishay
類型：N 溝道 MOSFET
封裝：SOIC-8
VDS（漏源極電壓）：100 V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：0.35 Ω（典型值，在 VGS=10V 時(shí)）
IDS（連續(xù)漏極電流）：2 A
VGS(th)（柵極開啟電壓）：2.5 V（典型值）
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
功耗：625 mW
VJ0402D100FXXAP 的特性如下：
1. 雙通道設(shè)計(jì)：該芯片內(nèi)置兩個(gè)獨(dú)立的 N 溝道 MOSFET，能夠顯著減少外部元件數(shù)量，優(yōu)化 PCB 布局。
2. 高耐壓能力：最大漏源極電壓可達(dá) 100V，適用于高壓應(yīng)用場景。
3. 低導(dǎo)通電阻：RDS(on) 僅為 0.35Ω（典型值），可有效降低傳導(dǎo)損耗，提高效率。
4. 快速開關(guān)速度：得益于先進(jìn)的制造工藝，其開關(guān)時(shí)間非常短，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
5. 寬工作溫度范圍：支持從 -55°C 到 +150°C 的工作溫度區(qū)間，確保在極端環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
6. 緊湊封裝：采用 SOIC-8 封裝形式，有助于節(jié)省 PCB 空間。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)，符合國際環(huán)保法規(guī)要求。
VJ0402D100FXXAP 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：
1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：用于降壓或升壓轉(zhuǎn)換電路中，實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)。
2. 負(fù)載切換：在電源管理系統(tǒng)中用作負(fù)載開關(guān)，控制不同負(fù)載的供電狀態(tài)。
3. 電機(jī)控制：適用于小型直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)，提供精確的速度和方向控制。
4. 電池管理：用于保護(hù)鋰電池或其他可充電電池，防止過充或過放。
5. 工業(yè)自動(dòng)化：作為各種工業(yè)控制系統(tǒng)的功率級(jí)元件，提供穩(wěn)定可靠的電力輸出。
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中，為系統(tǒng)提供高效功率轉(zhuǎn)換。
VJ0402D100FXA, VJ0402D100FXXA
