FDC6312P是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于功率開關和負載驅動應用。它采用先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,廣泛應用于消費電子、通信設備及工�(yè)控制領域�
該器件的封裝形式為SOT-23-3L,非常適合空間受限的應用場景。其主要特點是能夠在較低的柵極驅動電壓下實現(xiàn)高效的電流傳�,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�2.7A
導通電�(Rds(on))�55mΩ@Vgs=4.5V
柵極電荷(Qg)�6nC
開關時間:典型值ton=9ns,toff=15ns
工作結溫范圍(Tj)�-55℃至+150�
FDC6312P的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻Rds(on),可有效降低功��
2. 支持低至4.5V的柵極驅動電�,適用于電池供電設備�
3. 快速開關能�,適合高頻開關應用�
4. 小尺寸SOT-23-3L封裝,節(jié)省PCB板空��
5. 高雪崩能量能力,增強了器件在異常條件下的魯棒��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�
FDC6312P適用于以下應用場景:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流��
2. 便攜式設備中的負載開��
3. 電機驅動電路中的功率級開��
4. DC-DC轉換器中的功率MOSFET�
5. 熱插拔保護電路�
6. 各種電池管理系統(tǒng)的開關元��
FDS6603, SI2302DS, AO3400