VI-RAM-M2是一種非易失性存儲器芯片,基于鐵電隨�(jī)存取存儲器(FeRAM)技�(shù)。該芯片能夠在斷電后保存�(shù)�(jù),并具有高速讀寫能�、低功耗和高耐用性的特點(diǎn)。VI-RAM-M2通常用于需要快速數(shù)�(jù)記錄以及對掉電數(shù)�(jù)保護(hù)有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場��
FeRAM技�(shù)�(jié)合了傳統(tǒng)RAM的高速性能與閃存的非易失特�,使其在工業(yè)控制、汽車電子和�(yī)療設(shè)備領(lǐng)域中廣泛�(yīng)用�
容量�2Mb
接口:SPI
工作電壓�1.8V�3.6V
工作溫度�-40℃至+85�
封裝形式:SOP-8, TSSOP-8
�(shù)�(jù)保持時間�10�
擦寫壽命�10^12 �
VI-RAM-M2的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高速讀寫能�,典型存取時間為70ns,遠(yuǎn)快于傳統(tǒng)的EEPROM或閃存�
2. 非易失性數(shù)�(jù)存儲功能,在電源中斷時仍能可靠保存數(shù)�(jù)�
3. 超過1萬億次的擦寫周期,適合頻繁更新數(shù)�(jù)的環(huán)��
4. 低功耗設(shè)�,尤其在待機(jī)模式下的靜態(tài)電流極低,適用于電池供電�(shè)��
5. 支持寬范圍的工作電壓,增�(qiáng)了其在不同應(yīng)用中的兼容��
6. SPI接口簡化了與微控制器或其他系�(tǒng)組件的連接過程�
VI-RAM-M2適用于多種需要高性能非易失性存儲的場合,例如:
1. 工業(yè)自動化中的數(shù)�(jù)日志記錄�
2. 汽車電子模塊的數(shù)�(jù)存儲,如事件記錄儀和傳感器校準(zhǔn)信息�
3. �(yī)療設(shè)備中�(guān)鍵參�(shù)的實(shí)時存��
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中用戶�(shè)置和狀�(tài)信息的保��
5. 儀表設(shè)備中的配置文件和測量�(jié)果的備份�
由于其出色的耐用性和可靠�,VI-RAM-M2成為許多苛刻�(huán)境中理想的選擇�
MB85RC2MT-SPI, FM25L16B, CAT24C02