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VI-RAM-M2 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 11:32:56 查看 閱讀�23

VI-RAM-M2是一種非易失性存儲器芯片,基于鐵電隨�(jī)存取存儲器(FeRAM)技�(shù)。該芯片能夠在斷電后保存�(shù)�(jù),并具有高速讀寫能�、低功耗和高耐用性的特點(diǎn)。VI-RAM-M2通常用于需要快速數(shù)�(jù)記錄以及對掉電數(shù)�(jù)保護(hù)有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場��
  FeRAM技�(shù)�(jié)合了傳統(tǒng)RAM的高速性能與閃存的非易失特�,使其在工業(yè)控制、汽車電子和�(yī)療設(shè)備領(lǐng)域中廣泛�(yīng)用�

參數(shù)

容量�2Mb
  接口:SPI
  工作電壓�1.8V�3.6V
  工作溫度�-40℃至+85�
  封裝形式:SOP-8, TSSOP-8
  �(shù)�(jù)保持時間�10�
  擦寫壽命�10^12 �

特�

VI-RAM-M2的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高速讀寫能�,典型存取時間為70ns,遠(yuǎn)快于傳統(tǒng)的EEPROM或閃存�
  2. 非易失性數(shù)�(jù)存儲功能,在電源中斷時仍能可靠保存數(shù)�(jù)�
  3. 超過1萬億次的擦寫周期,適合頻繁更新數(shù)�(jù)的環(huán)��
  4. 低功耗設(shè)�,尤其在待機(jī)模式下的靜態(tài)電流極低,適用于電池供電�(shè)��
  5. 支持寬范圍的工作電壓,增�(qiáng)了其在不同應(yīng)用中的兼容��
  6. SPI接口簡化了與微控制器或其他系�(tǒng)組件的連接過程�

�(yīng)�

VI-RAM-M2適用于多種需要高性能非易失性存儲的場合,例如:
  1. 工業(yè)自動化中的數(shù)�(jù)日志記錄�
  2. 汽車電子模塊的數(shù)�(jù)存儲,如事件記錄儀和傳感器校準(zhǔn)信息�
  3. �(yī)療設(shè)備中�(guān)鍵參�(shù)的實(shí)時存��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中用戶�(shè)置和狀�(tài)信息的保��
  5. 儀表設(shè)備中的配置文件和測量�(jié)果的備份�
  由于其出色的耐用性和可靠�,VI-RAM-M2成為許多苛刻�(huán)境中理想的選擇�

替代型號

MB85RC2MT-SPI, FM25L16B, CAT24C02

vi-ram-m2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

vi-ram-m2資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

vi-ram-m2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �4,373.79000散裝
  • 系列*
  • 包裝散裝
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 類型-
  • 輸出�(shù)-
  • 電壓 - 輸入-
  • 電壓 - 輸出 1-
  • 電壓 - 輸出 2-
  • 電壓 - 輸出 3-
  • 電壓 - 輸出 4-
  • 電壓 - 輸出 5-
  • 電壓 - 輸出 6-
  • 電流 - 輸出 1-
  • 電流 - 輸出 2-
  • 電流 - 輸出 3-
  • 電流 - 輸出 4-
  • 電流 - 輸出 5-
  • 電流 - 輸出 6-
  • 功率 (W)-
  • �(yīng)�-
  • 電壓 - 隔離-
  • 效率-
  • 工作溫度-
  • 特�-
  • 安裝類型-
  • 大小 / 尺寸-
  • �(rèn)證機(jī)�(gòu)-
  • �(biāo)�(zhǔn)編號-