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2SK1959 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 8:49:44 查看 閱讀�31

2SK1959是一種高性能的N溝道MOSFET晶體管,廣泛應用于射頻放大器、功率放大器以及高頻開關電路中。它具有低導通電�、高擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性,適用于需要高效率和高可靠性的電子設備�
  該器件通常被用作功率放大級中的開關元件或驅動元件,尤其在業(yè)余無線電設備和專�(yè)通信設備中表�(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  漏源極擊穿電壓:80V
  柵源極擊穿電壓:±30V
  最大漏極電流:14A
  導通電阻:0.18Ω
  輸入電容�430pF
  最大耗散功率�60W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

2SK1959是一款專為高頻應用設計的MOSFET晶體管,具備以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓使得其能夠承受較高的工作電�,從而適應更廣泛的應用場��
  2. 極低的導通電阻降低了功耗并提高了效�,特別適合大電流場合�
  3. 良好的熱�(wěn)定性確保了器件在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定性能�
  4. 較高的輸入電容值有助于�(yōu)化高頻信號的處理能力�
  5. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠在極端條件下可靠運��
  6. 小型封裝設計便于集成到緊湊型電路板中,同時兼顧散熱需��

應用

2SK1959主要應用于以下領域:
  1. 射頻功率放大器:用于�(yè)余無線電、對講機等設備中的發(fā)射模�,提供高效的功率輸出�
  2. 開關電源:作為開關元件使�,以實現(xiàn)高效能量轉換�
  3. 音頻放大器:在某些高保真音頻設備中用作驅動級或輸出級元件�
  4. 電機控制:用于驅動小型直流電機或其他負載,提供精確的電流控制�
  5. 高頻振蕩器:利用其高頻特性構建穩(wěn)定的振蕩電路�

替代型號

2SK2022
  2SK2612
  MOSFET同規(guī)格系�

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