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VHR-4N-WGE1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 10:15:24 查看 閱讀�11

VHR-4N-WGE1 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效能功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體設(shè)�(jì)尺寸�
  其設(shè)�(jì)注重散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適合在�(yán)苛的工作�(huán)境下�(yùn)�,同�(shí)支持高功率密度應(yīng)用需求�

參數(shù)

�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
  最大漏源電壓:600 V
  連續(xù)漏極電流�25 A
  �(dǎo)通電阻:70 mΩ(典型值)
  柵極電荷�35 nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)頻率:超�(guò)5 MHz
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:WBG Enhanced 8-Lead Surface Mount

特�

VHR-4N-WGE1 的主要優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣性能與可靠性:
  1. 使用氮化鎵材�,實(shí)�(xiàn)了比傳統(tǒng)硅基MOSFET更低的導(dǎo)通電阻和更快的開(kāi)�(guān)速度,從而減少開(kāi)�(guān)損��
  2. 高效熱管理設(shè)�(jì)使器件能夠在高負(fù)載條件下保持�(wěn)定運(yùn)��
  3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了產(chǎn)品的魯棒��
  4. 小型化封裝有效節(jié)省了PCB空間,為緊湊型設(shè)�(jì)提供了便��
  5. 廣泛的溫度適�(yīng)能力確保其適用于工業(yè)�(jí)及汽�(chē)�(jí)�(huán)境�

�(yīng)�

這款器件適用于多種高性能電力電子�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
  2. �(wú)�(xiàn)充電�(shè)備中的功率傳輸模�
  3. 智能家電的逆變電源單元
  4. 電動(dòng)�(chē)輛的牽引逆變�
  5. 太陽(yáng)能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)
  6. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器供電單� (PSU) 中的同步整流電路

替代型號(hào)

VHR-4N-WGE2, VHS-5N-WGE1, GAN063-650WSA

vhr-4n-wge1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)