VHR-4N-WGE1 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效能功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體設(shè)�(jì)尺寸�
其設(shè)�(jì)注重散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適合在�(yán)苛的工作�(huán)境下�(yùn)�,同�(shí)支持高功率密度應(yīng)用需求�
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
最大漏源電壓:600 V
連續(xù)漏極電流�25 A
�(dǎo)通電阻:70 mΩ(典型值)
柵極電荷�35 nC(典型值)
�(kāi)�(guān)頻率:超�(guò)5 MHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:WBG Enhanced 8-Lead Surface Mount
VHR-4N-WGE1 的主要優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣性能與可靠性:
1. 使用氮化鎵材�,實(shí)�(xiàn)了比傳統(tǒng)硅基MOSFET更低的導(dǎo)通電阻和更快的開(kāi)�(guān)速度,從而減少開(kāi)�(guān)損��
2. 高效熱管理設(shè)�(jì)使器件能夠在高負(fù)載條件下保持�(wěn)定運(yùn)��
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了產(chǎn)品的魯棒��
4. 小型化封裝有效節(jié)省了PCB空間,為緊湊型設(shè)�(jì)提供了便��
5. 廣泛的溫度適�(yīng)能力確保其適用于工業(yè)�(jí)及汽�(chē)�(jí)�(huán)境�
這款器件適用于多種高性能電力電子�(yīng)用場(chǎng)景:
1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
2. �(wú)�(xiàn)充電�(shè)備中的功率傳輸模�
3. 智能家電的逆變電源單元
4. 電動(dòng)�(chē)輛的牽引逆變�
5. 太陽(yáng)能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)
6. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器供電單� (PSU) 中的同步整流電路
VHR-4N-WGE2, VHS-5N-WGE1, GAN063-650WSA