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VHF160808H1N3ST 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 13:56:15 查看 閱讀�21

VHF160808H1N3ST 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高頻功率晶體管,適用于高效率射頻功率放大器應�。該器件采用先進的封裝技術以提高散熱性能和可靠性。它廣泛應用于通信系統(tǒng)、雷達設備以及廣播發(fā)射機等領��
  該晶體管支持高達 S 波段頻率范圍的操�,并且具有出色的線性度和增益特性,能夠滿足�(xiàn)代無線通信系統(tǒng)對高性能的要��

參數(shù)

型號:VHF160808H1N3ST
  工作頻率范圍�800 MHz - 2.5 GHz
  最大輸出功率:250 W(典型值)
  飽和輸出功率�300 W(最小值)
  增益�16 dB(典型值)
  效率�65%(典型值)
  電壓額定值:50 V
  電流額定值:15 A
  封裝類型:陶瓷金屬密�
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

VHF160808H1N3ST 的主要特點是其采用了氮化鎵半導體材料,相比傳�(tǒng)的硅基晶體管,這種材料提供了更高的電子遷移率和擊穿電壓,使得器件能夠在更高頻率和功率條件下運行。此�,其設計具備良好的熱管理能力,確保在高功率負載下的穩(wěn)定性和長期可靠��
  此器件還集成了柵極保護電路,可以防止因靜電放電或過壓造成的損�。同時,�(yōu)化的�(nèi)部匹配網(wǎng)絡進一步簡化了外部電路設計,提高了整體系統(tǒng)的集成度和性能�
  VHF160808H1N3ST 在射頻功率放大領域表�(xiàn)出色,特別是在需要寬頻帶操作和高效率轉換的應用中�

應用

該晶體管適合用于多種射頻功率放大場景,包括但不限于:
  1. 無線通信基站中的 PA 模塊
  2. 廣播和電視信號傳輸設�
  3. 航空航天與國防領域的雷達系統(tǒng)
  4. �(yī)療成像設備如超聲波儀器中的電源部�
  5. 工業(yè)加熱及等離子體生成裝置中的高頻驅動器
  VHF160808H1N3ST 的高功率密度和優(yōu)異的效率使其成為這些應用的理想選��

替代型號

VHF160808H1N5ST, VHF160808H2N3ST

vhf160808h1n3st推薦供應� 更多>

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