VHF160808H1N3ST 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高頻功率晶體管,適用于高效率射頻功率放大器應�。該器件采用先進的封裝技術以提高散熱性能和可靠性。它廣泛應用于通信系統(tǒng)、雷達設備以及廣播發(fā)射機等領��
該晶體管支持高達 S 波段頻率范圍的操�,并且具有出色的線性度和增益特性,能夠滿足�(xiàn)代無線通信系統(tǒng)對高性能的要��
型號:VHF160808H1N3ST
工作頻率范圍�800 MHz - 2.5 GHz
最大輸出功率:250 W(典型值)
飽和輸出功率�300 W(最小值)
增益�16 dB(典型值)
效率�65%(典型值)
電壓額定值:50 V
電流額定值:15 A
封裝類型:陶瓷金屬密�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
VHF160808H1N3ST 的主要特點是其采用了氮化鎵半導體材料,相比傳�(tǒng)的硅基晶體管,這種材料提供了更高的電子遷移率和擊穿電壓,使得器件能夠在更高頻率和功率條件下運行。此�,其設計具備良好的熱管理能力,確保在高功率負載下的穩(wěn)定性和長期可靠��
此器件還集成了柵極保護電路,可以防止因靜電放電或過壓造成的損�。同時,�(yōu)化的�(nèi)部匹配網(wǎng)絡進一步簡化了外部電路設計,提高了整體系統(tǒng)的集成度和性能�
VHF160808H1N3ST 在射頻功率放大領域表�(xiàn)出色,特別是在需要寬頻帶操作和高效率轉換的應用中�
該晶體管適合用于多種射頻功率放大場景,包括但不限于:
1. 無線通信基站中的 PA 模塊
2. 廣播和電視信號傳輸設�
3. 航空航天與國防領域的雷達系統(tǒng)
4. �(yī)療成像設備如超聲波儀器中的電源部�
5. 工業(yè)加熱及等離子體生成裝置中的高頻驅動器
VHF160808H1N3ST 的高功率密度和優(yōu)異的效率使其成為這些應用的理想選��
VHF160808H1N5ST, VHF160808H2N3ST