VBUS05B1-SD0-G4-08 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率開(kāi)關(guān)器件,主要用于提升電力轉(zhuǎn)換效率和縮小電源系統(tǒng)的體積。該型號(hào)屬于 GaN Systems 的產(chǎn)品系列,采用增強(qiáng)型 GaN FET 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于高頻 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場(chǎng)景。
其設(shè)計(jì)旨在滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率、高功率密度和高性能的需求,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)電源、電動(dòng)汽車(chē)充電以及通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。
額定電壓:650V
最大導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
連續(xù)漏極電流:23A
柵極電荷:75nC
反向恢復(fù)電荷:無(wú)(零反向恢復(fù))
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝形式:GSP-8 封裝
1. 使用增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù),具備更低的導(dǎo)通電阻和更高的效率。
2. 零反向恢復(fù)電荷特性,有效減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 支持高達(dá) 2MHz 的開(kāi)關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用。
4. 極低的輸出電容和柵極電荷,有助于實(shí)現(xiàn)快速切換。
5. 具備強(qiáng)大的熱性能,能夠適應(yīng)高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能,提高器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
1. 消費(fèi)類(lèi)快充適配器(如 USB PD 充電器)。
2. 工業(yè)級(jí)高效 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 數(shù)據(jù)中心電源模塊及服務(wù)器供電系統(tǒng)。
4. 新能源汽車(chē)車(chē)載充電器 (OBC) 和直流充電樁。
5. 通信基站電源和分布式電源架構(gòu)。
6. 高頻諧振拓?fù)潆娐罚↙LC、PFC 等)。
GS66508T, VBUS05B2-SD0-G4-08