CHDTA114EEGP是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用TO-263封裝形式。該器件主要適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其特點(diǎn)在于低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,能夠顯著提升電路效率并減少發(fā)熱問��
該芯片通過�(yōu)化設(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損�,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合�
最大漏源電壓:60V
最大漏極電流:45A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�45nC
總功耗:150W
工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠��
4. 具備良好的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)��
5. TO-263封裝形式,易于安裝且散熱性能�(yōu)異�
1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(qū)�(dòng)元件�
4. 各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)�(dòng)電路�
IRFZ44N
FDP5800
AOT291G