V3R9C0201C0G500NAT 是一款高性能的陶瓷電容器,屬于 TDK 的 C0G(NP0)系列。該型號采用了多層陶瓷技術(shù)(MLCC),具有高穩(wěn)定性和低溫度系數(shù)特性。適用于各種需要高頻和高穩(wěn)定性的電路應(yīng)用,例如濾波、耦合和去耦等場景。
容值:20pF
額定電壓:50V
溫度系數(shù):C0G (NP0)
封裝:0402英寸
公差:±5%
直流偏置特性:無顯著變化
工作溫度范圍:-55℃ 至 +125℃
V3R9C0201C0G500NAT 是一種基于 C0G 材質(zhì)的 MLCC 電容器。C0G 屬于溫度補償型介質(zhì),其特點是電容量在寬溫度范圍內(nèi)幾乎不隨溫度變化,因此非常適合對溫度穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用場景。
該型號具有極低的損耗因數(shù),能夠有效減少信號失真和能量損失。此外,由于其高可靠性設(shè)計,即使在高頻條件下也能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
此電容器還具備出色的抗振動和抗沖擊能力,適合用于嚴苛環(huán)境下的電子設(shè)備中,例如汽車電子、工業(yè)控制和通信設(shè)備等領(lǐng)域。
V3R9C0201C0G500NAT 主要應(yīng)用于需要高精度和高穩(wěn)定性的電路中。常見的應(yīng)用場景包括:
1. 濾波器設(shè)計:用于射頻電路中的帶通或帶阻濾波。
2. 耦合與去耦:為電源線提供穩(wěn)定的去耦功能,同時在放大器輸入輸出端進行信號耦合。
3. 高頻振蕩電路:作為諧振元件參與高頻信號生成。
4. 數(shù)據(jù)傳輸線路匹配:用于優(yōu)化阻抗匹配以減少反射損耗。
5. 醫(yī)療設(shè)備及航空航天領(lǐng)域:因其卓越的可靠性和溫度穩(wěn)定性而被廣泛采用。
C3216X5R1H224MAT, GRM1555C1H220JA01D