V24A12M400BL 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及開關(guān)電路等場(chǎng)景。該型號(hào)屬于功率 MOSFET 類別,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,能夠在高頻工作條件下保持高效能表現(xiàn)。V24A12M400BL 的封裝形式通常� TO-247 � TO-263,適合表面貼裝或插件安裝,適用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
最大漏源電壓:1200V
最大連續(xù)漏極電流�400A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�85nC
輸入電容�3500pF
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
熱阻�0.2°C/W
V24A12M400BL 具有出色的電氣性能,其主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:該芯片能夠承受高�(dá) 1200V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的各種應(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 2.5mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
3. 快速開�(guān)速度:由于其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),V24A12M400BL 可以在高頻應(yīng)用中�(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)切換,減少開�(guān)損耗�
4. 良好的熱�(wěn)定性:芯片具備較低的熱� (0.2°C/W),使其在高功率運(yùn)行時(shí)仍能保持良好的散熱性能�
5. 寬廣的工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的結(jié)溫范�,確保在極端�(huán)境下的可靠性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):采用環(huán)保材料制�,滿足國(guó)際環(huán)保法�(guī)要求�
V24A12M400BL 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的變頻器和逆變器電��
2. 大功率開�(guān)電源 (SMPS) 和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�
3. 新能源汽車中的電�(jī)控制器和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. 高壓�(zhuǎn)換電路和�(chǔ)能系�(tǒng)�
5. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高電壓、大電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)��
V24A12M300BL, IRFP260N, FGA25N120AND