CRSD130N10L2是一款基于碳化硅(SiC)技術的MOSFET功率晶體�。這種晶體管因其高效率、高頻開關能力和高溫性能而被廣泛應用于工�(yè)和汽車領�。其設計目標是提供卓越的開關特�,減少能量損�,并支持緊湊型電源解決方��
該器件采用TO-247封裝形式,具有極低的導通電阻和快速恢復體二極管特性,非常適合于DC-DC轉換�、太陽能逆變�、電機驅動器以及其他需要高效功率轉換的應用場景�
最大漏源電壓:1000V
連續(xù)漏極電流�130A
導通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷(Qg):95nC
輸入電容(Ciss):3800pF
反向恢復時間(trr):80ns
工作結溫范圍�-55℃至175�
CRSD130N10L2具有出色的電氣特性和熱管理能力。其主要特點包括�
- 高耐壓等級,能夠承受高�1000V的工作電�,適用于高壓應用�(huán)境�
- 極低的導通電�,顯著降低傳導損�,提高整體系�(tǒng)效率�
- 快速開關速度和較低的柵極電荷,確保在高頻條件下依然保持高效運行�
- 內置快速恢復體二極�,優(yōu)化了�(xù)流路徑并減少了開關損��
- 碳化硅材料的使用使其具備更高的溫度耐受性,能夠在極端環(huán)境下可靠工作�
- 兼容標準硅基驅動電路,簡化了設計集成過程�
- 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產品的合規(guī)性要��
這款碳化硅MOSFET適合多種高功率和高壓應用場景�
- 高效DC-DC轉換�,例如電動汽車中的車載充電器和電池管理系�(tǒng)�
- 太陽能光伏逆變�,用于將直流電轉化為交流電輸出到電網�
- 工業(yè)電機驅動器和伺服控制系統(tǒng),提供精確的速度與位置控制�
- 不間斷電源(UPS)設�,確保關鍵負載的持續(xù)供電�
- 高頻硬開關或軟開關拓撲結�,如PFC(功率因�(shù)校正)電路和LLC諧振轉換��
CRSD120N10L2, CRSD150N10L2