UVZ1V102MHD 是一款基于超�(jié) (Super-Junction) 技�(shù)� MOSFET 器件,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和極佳的開(kāi)�(guān)性能,能夠有效降低功耗并提升效率。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)型,適合自動(dòng)化生�(chǎn)�(huán)��
UVZ1V102MHD 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及其他需要高效能和高頻率操作的電子設(shè)備中�
型號(hào):UVZ1V102MHD
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650 V
最大柵源電�(Vgs):�20 V
連續(xù)漏極電流(Id)�10.8 A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�145 mΩ
總柵極電�(Qg)�37 nC
輸入電容(Ciss)�1800 pF
輸出電容(Coss)�95 pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�75 ns
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
UVZ1V102MHD 具備以下顯著特性:
1. 采用先�(jìn)的超�(jié)技�(shù),提供更低的 Rds(on),從而減少導(dǎo)通損��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻電力�(zhuǎn)換應(yīng)��
3. 極低的柵極電荷和輸出電容,有助于降低�(kāi)�(guān)損��
4. 提供�(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足全球法�(guī)要求�
6. 封裝�(shè)�(jì)緊湊,便于在小型化設(shè)備中使用�
7. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)不同氣候條件下的應(yīng)用需��
總體而言,UVZ1V102MHD 在性能和可靠性方面表�(xiàn)出色,是許多高效能電力電子系�(tǒng)的理想選��
UVZ1V102MHD 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 功率因數(shù)校正(PFC)電�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路
7. 電池充電�
由于其高性能和可靠性,UVZ1V102MHD 成為這些�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效能源管理的核心元件之一�
UVZ1V102MH, IRFZ44N, FDP17N65