LQW18AN43NG00D 是由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)� 1200V 碳化硅(SiC)MOSFET 功率模塊。該模塊采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),具有高效率、高頻開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。這種功率模塊適用于工�(yè)�(shè)備、新能源汽車、光伏發(fā)電系�(tǒng)以及各種高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中。它通過�(yōu)化封裝設(shè)�(jì)和芯片性能,顯著提高了系統(tǒng)的可靠性和效率�
該器件內(nèi)部集成了兩�(gè) SiC MOSFET 單元,采用半橋配置(High-side � Low-side�,支持大電流輸出,同�(shí)具備短路保護(hù)和熱保護(hù)功能,確保在惡劣工況下的�(wěn)定運(yùn)��
額定電壓�1200V
額定電流�43A
Rds(on)�9.5mΩ(典型值,25°C�
最大結(jié)溫:175°C
開關(guān)頻率:高�(dá) 100kHz
封裝形式:Direct Bond Copper (DBC) 基板
輸入電容�1000pF(典型值)
漏源極擊穿電壓:1200V(最小值)
�(dǎo)通電阻溫度系�(shù):正溫度系數(shù)
柵極�(qū)�(dòng)電壓�18V(推薦值)
1. 使用碳化硅材料制造的 MOSFET 芯片,大幅提升了效率和功率密度�
2. 高達(dá) 1200V 的耐壓能力使其適合高壓�(yīng)用場�,例如電�(dòng)車逆變器和工業(yè)電源�
3. �(nèi)部集成半橋拓?fù)浣Y(jié)�(gòu),減少了外部元件�(shù)量并簡化了電路設(shè)�(jì)�
4. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))降低了傳導(dǎo)損耗,從而提高整體效��
5. 支持高頻開關(guān)操作,減少磁性元件體積和系統(tǒng)成本�
6. 具備�(yōu)異的熱性能和高可靠�,能夠在高溫�(huán)境下長期工作�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合多種工業(yè)�(yīng)用需��
1. 新能源汽車中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制器和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 光伏�(fā)電系�(tǒng)中的逆變器和 MPPT 控制器�
3. 工業(yè)變頻器和伺服�(qū)�(dòng)��
4. 不間斷電源(UPS)和其他高效能電力電子設(shè)��
5. 快速充電站和電�(dòng)汽車車載充電器�
6. 高頻開關(guān)電源和通信基站電源�
7. 大功� LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
LQW18AN40NG00D, LQW18AN30NG00D