UG26TR0272230622是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用先進的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高耐壓特性和快速開�(guān)速度等優(yōu)��
此型號中的特定編碼可能代表了生產(chǎn)批次或封裝形式等信息,用戶在選型時需�(jié)合具體應(yīng)用需求和技�(shù)�(guī)格進行確認�
類型:MOSFET
極性:N-Channel
漏源電壓(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�28A
柵極電荷(Qg)�55nC
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
功�(Ptot)�215W
工作溫度范圍�-55� to 150�
封裝形式:TO-247
UG26TR0272230622的核心特點是其卓越的電氣性能和可靠��
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�2.2mΩ),能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定漏源電壓(60V)確保其能夠在高壓環(huán)境下�(wěn)定運行�
3. 快速開�(guān)速度減少了開�(guān)損�,并適合高頻�(yīng)用場��
4. 良好的熱性能使其能在高溫條件下長時間工作,同時支持大電流輸出�
此外,該器件還具有較小的柵極電荷,進一步優(yōu)化了動態(tài)性能�
這款功率MOSFET適用于多種電力電子設(shè)備中,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC�(zhuǎn)換器和DC-DC變換器�
2. 電機�(qū)動控制電�,特別是需要高效能與高可靠性的場景�
3. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換�
4. 新能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器及電動車充電系�(tǒng)�
由于其出色的性能指標,UG26TR0272230622是許多高功率密度�(shè)計的理想選擇�
IRF2807,
STP28NF60,
FDP18N60