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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/12 11:00:36 查看 閱讀�686

NTZD3155CT1G技�(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�400

最大漏極電流Id(on)(A)�0.540

通道極性:N/P溝道

封裝/溫度(�):SOT-563/-55 ~150

描述�20 V, 540 mA/ -430 mA 雙功率MOSFET帶ESD保護(hù)

資料

廠商
ON Semiconductor

ntzd3155ct1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ntzd3155ct1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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ntzd3155ct1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C540mA�430mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C550 毫歐 @ 540mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds150pF @ 16V
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-563
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTZD3155CT1GOSTR