TYN616是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、充電器和適配器等場�。該器件采用DFN5*6封裝形式,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)小整體體積�
其內(nèi)置GaN HEMT�(jié)�(gòu),具有高電子遷移率特�,能夠在高頻工作條件下保持較低的開關(guān)損�。此外,該芯片還集成了多種保�(hù)功能,如過溫保護(hù)和短路保�(hù),確保在�(fù)雜應(yīng)用環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠��
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電�(Vds)�650V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�160mΩ
柵極閾值電�(Vgs(th))�1.5V~3V
最大漏極電�(Id)�8A
輸入電容(Ciss)�1400pF
輸出電容(Coss)�27pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�25ns
封裝形式:DFN5*6
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的高電子遷移率,TYN616可實(shí)�(xiàn)快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損��
2. 小型化設(shè)�(jì):DFN5*6封裝形式使得該器件非常適合于空間受限的應(yīng)用場合�
3. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為160mΩ,在高頻開關(guān)過程中能有效減少傳導(dǎo)損耗�
4. �(nèi)置保�(hù)功能:集成過溫保�(hù)和短路保�(hù)�(jī)�,提高了系統(tǒng)的可靠性和安全��
5. 寬電壓范圍:支持高達(dá)650V的漏源電壓,適用于多種不同應(yīng)用場��
6. 快速動(dòng)�(tài)響應(yīng):具備較低的Coss和trr參數(shù),有助于�(yōu)化高頻條件下的動(dòng)�(tài)表現(xiàn)�
1. USB PD快充適配器:利用其高頻開�(guān)特性和高效性能,可�(shè)�(jì)出更緊湊、更高效的USB-PD充電��
2. 開關(guān)電源(SMPS):適合用于各類AC-DC�(zhuǎn)換器中,提高系統(tǒng)效率的同�(shí)縮小體積�
3. LED�(qū)�(dòng)電源:為LED照明�(shè)備提供高效穩(wěn)定的電源解決方案�
4. 無線充電器:在無線充電應(yīng)用中,TYN616可以�(shí)�(xiàn)更高的能量傳輸效��
5. 工業(yè)電源:適用于工業(yè)控制�(lǐng)域中的各種高頻開�(guān)電源需求�
GXT6508E
TYN618
GAN063-650WSA