DB2U30800L是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先進的制造工藝技�(shù),主要應用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。該器件具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,能夠顯著提高電路效率并降低熱損��
DB2U30800L屬于N溝道增強型MOSFET,通過�(yōu)化設計實�(xiàn)了較低的柵極電荷和輸出電�,從而在高頻應用中表�(xiàn)出優(yōu)異的動態(tài)性能�
類型:N溝道增強型MOSFET
漏源極擊穿電壓:800V
連續(xù)漏極電流�6.7A
導通電阻(典型值)�1.4Ω
柵極電荷�45nC
輸入電容�1600pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220AC
1. 該器件具�800V的高耐壓能力,適用于高壓�(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換和控制應用�
2. 其導通電阻僅�1.4Ω(典型值),可以有效減少傳導損�,提高整體效率�
3. DB2U30800L具有較低的柵極電荷和開關損�,適合高頻開關應��
4. 采用了TO-220AC標準封裝,安裝方便且散熱性能良好�
5. 工作溫度范圍寬達-55℃至+150�,確保其能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運��
DB2U30800L廣泛應用于多種電力電子領域,包括但不限于以下方面�
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,例如降�、升壓及反激式拓撲結(jié)�(gòu)中的功率開關�
3. 電機�(qū)動和逆變器系�(tǒng)中的功率級元��
4. 各種工業(yè)控制設備和家用電器中的高壓開關組件�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路和負載切換控制�
DB2U30800H, IRFP260N, STP36NF80