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時(shí)間：2025/5/29 20:35:24
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TN8D51A-HB11-E 是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于需要高效能和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，能夠提供出色的開關(guān)性能和導(dǎo)通效率。它具有較低的導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度，適合應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型，通過優(yōu)化設(shè)計(jì)使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力，確保其在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
類型：N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大漏極電流(Id)：38A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4mΩ
柵極電荷(Qg)：28nC
開關(guān)速度：快速
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，有助于降低導(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度和較小的柵極電荷Qg，可以有效減少開關(guān)損耗。
3. 高雪崩擊穿能量能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致。
5. 小尺寸封裝，節(jié)省PCB空間，非常適合高密度設(shè)計(jì)需求。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛材料。
TN8D51A-HB11-E 廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換部分。
2. 各類DC-DC轉(zhuǎn)換器，如降壓或升壓電路。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
4. 電動(dòng)工具及家電中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
5. 太陽能微逆變器和小型逆變器。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
12-E, IRFZ44N, FDP5570
