TK72E12N1,S1X(S) 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率功率開關器件,屬于增強型常關(E-Mode)晶體管。該器件采用了先進的半導體工�,能夠提供更高的開關頻率、更低的導通電阻以及更小的封裝尺寸,非常適合用于高頻電源轉換和射頻應用。其卓越的性能使其在快充適配器、無線充�、LED驅動以及DC-DC轉換器等應用中表�(xiàn)�(yōu)��
該型號設計時充分考慮了系�(tǒng)集成的需�,具有出色的可靠性和熱穩(wěn)定性,同時支持表面貼裝工藝,便于大�(guī)模生�(chǎn)�
類型:增強型常關氮化鎵場效應晶體�
導通電阻(Rds(on)):120 mΩ
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵極驅動電壓(Vgs):6 V
持續(xù)漏極電流(Id):7 A
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝形式:S1X(S)
輸入電容(Ciss):1300 pF
輸出電容(Coss):180 pF
反向恢復時間(trr):< 30 ns
1. 高效的氮化鎵技術提供了顯著�(yōu)于傳�(tǒng)硅基MOSFET的開關性能�
2. 極低的導通電阻有助于降低傳導損�,提升整體能��
3. 小巧的封裝設計節(jié)省了PCB空間,同時具備良好的散熱性能�
4. 內置保護機制確保在過�、短路等異常情況下依然保持穩(wěn)定運��
5. 支持高達�(shù)兆赫茲的開關頻率,適用于高頻應用需��
6. 與現(xiàn)有控制IC兼容性強,簡化了設計流程�
7. 符合RoHS�(huán)保標�,滿足全球市場的準入要求�
1. USB-PD快充適配�
2. 無線充電�(fā)射端模塊
3. LED照明驅動電路
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