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ZXMN6A09DN8TC 發(fā)布時間 時間�2023/9/7 17:23:32 查看 閱讀�310

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�

目錄

概述

制造商:DiodesInc.
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:DualDualDrain
晶體管極性:N-Channel
電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.045Ohms
汲極/源極擊穿電壓�60V
�/源擊穿電壓:+/-20V
漏極連續(xù)電流�5.1A
功率耗散�1.25W
最大工作溫度:+150�

安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SO-8
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�

zxmn6a09dn8tc推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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zxmn6a09dn8tc�(chǎn)�

zxmn6a09dn8tc參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 8.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24.2nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1407pF @ 40V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)