時間：2025/5/21 19:34:32
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TG.35.8113是一種高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，從而提高了整體效率并減少了能量損耗。
這款芯片能夠在較高的頻率下工作，同時保持較低的開關(guān)損耗，這使得它非常適合用于現(xiàn)代電子設(shè)備中對功率管理要求嚴(yán)格的場合。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：25A
導(dǎo)通電阻：4mΩ
柵極電荷：35nC
開關(guān)時間：10ns
工作溫度范圍：-55℃至150℃
TG.35.8113具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率轉(zhuǎn)換。
2. 高速開關(guān)能力使其適用于高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 良好的熱穩(wěn)定性允許其在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
4. 內(nèi)置過溫保護(hù)和過流保護(hù)功能，增強(qiáng)了芯片的安全性和使用壽命。
5. 小型化封裝設(shè)計節(jié)省了電路板空間，適合緊湊型設(shè)計需求。
TG.35.8113適用于多種功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用場景，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)元件。
2. 電動工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動。
3. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載控制和保護(hù)。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理和DC-DC轉(zhuǎn)換。
IRFZ44N
FDP55N06L
STP25NF06
