MMSF10N02ZR2G 是一款由 Microsemi(現(xiàn)� Microchip Technology)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用超薄封裝�(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,適用于多種開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及負載開關(guān)等應(yīng)�。其出色的電氣性能使其成為便攜式電子設(shè)備的理想選擇�
最大漏源電壓:20V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�7nC(典型值)
開關(guān)頻率:支持高� 2MHz 的開�(guān)頻率
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-3L
MMSF10N02ZR2G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高溫�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定性能�
4. 小尺寸封�,便于在空間受限的設(shè)計中使用�
5. 提供出色� ESD 和雪崩保護能�,增強了器件的可靠��
MMSF10N02ZR2G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
4. 電機�(qū)動和控制�
5. 通信�(shè)備中的負載開�(guān)�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊�
MMPF10N02ZP2G, MMBF10N02ZP2G