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TFD120N02 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 16:57:29 查看 閱讀�27

TFD120N02是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用。其額定電壓�200V,持�(xù)漏極電流可達(dá)12A(在特定條件下)。TFD120N02因其高效能表�(xiàn)和可靠�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信電源等領(lǐng)��
  該MOSFET采用了先�(jìn)的制造工�,確保了其在高頻工作�(huán)境下的穩(wěn)定性與效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:160mΩ(典型值)
  柵極電荷�17nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)�49ns,關(guān)斷下降時(shí)�28ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

TFD120N02的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓,確保在高壓環(huán)境下的可靠��
  2. 極低的導(dǎo)通電�,在高負(fù)載電流下減少功率損��
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用,降低開關(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  6. �(nèi)部設(shè)�(jì)�(yōu)化以提高抗雪崩能力,增強(qiáng)魯棒��

�(yīng)�

這款MOSFET主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電��
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電�,用于家電和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,尤其是電動(dòng)車和�(chǔ)能系�(tǒng)中的保護(hù)電路�
  5. 各類逆變器和固態(tài)繼電器等功率切換�(chǎng)��
  6. LED�(qū)�(dòng)電路,提供高效的電流�(diào)節(jié)功能�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP150N10SMD, STP120NF02L

tfd120n02推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)