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LESD9D5.0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:17:39 查看 閱讀�32

LESD9D5.0是一種基于GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率電子器�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供高效率和低損耗性能,適用于電源管理、快充設(shè)備以及工�(yè)自動(dòng)化等�(lǐng)��
  其核心特�(diǎn)在于極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和�(wěn)定��

參數(shù)

型號(hào):LESD9D5.0
  類型:GaN HEMT
  最大漏源電�(Vds)�650V
  連續(xù)漏極電流(Id)�20A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ
  柵極閾值電�(Vth)�1.5V~3.5V
  輸入電容(Ciss)�1200pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�<10ns
  工作溫度范圍�-55℃~+150�

特�

LESD9D5.0采用了氮化鎵材料,相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET具有更低的寄生電容和更短的反向恢�(fù)�(shí)�,從而實(shí)�(xiàn)了更快的開關(guān)速度和更高的效率�
  其獨(dú)特的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)還降低了熱阻,提高了散熱性能,使得器件在高功率密度環(huán)境下也能保持良好的可靠��
  此外,LESD9D5.0支持高達(dá)1MHz以上的開�(guān)頻率,非常適合需要高頻工作的�(yīng)用場(chǎng)�。這種高頻性能可以減少外部無源元件(如電感、電容)的體積和成本,�(jìn)一步優(yōu)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

LESD9D5.0廣泛�(yīng)用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、USB-PD模塊、LED�(qū)�(dòng)電源以及各類工業(yè)控制�(shè)備中�
  在消�(fèi)和智能手�(jī)的快充方�,以�(shí)�(xiàn)更高的充電效率和更快的充電速度�
  同時(shí),在工業(yè)�(yīng)用中,LESD9D5.0可用于電�(jī)�(qū)�(dòng)、不間斷電源(UPS)和其他高壓大電流�(chǎng)景,確保系統(tǒng)�(yùn)行更加高效且�(wěn)��

替代型號(hào)

LGD8H500
  GAN042-650WSA
  EPC2016C

lesd9d5.0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)