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TF2005M-TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 17:29:33 查看 閱讀�6

TF2005M-TR 是一款高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�,屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)換、負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,使其在高效率�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  TF2005M-TR 的封裝形式為 TO-252(DPAK�,能夠承受較高的電流和電壓水�,同�(shí)具備�(yōu)異的熱性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源極電壓(VDS)�40V
  最大柵源極電壓(VGS):�20V
  最大漏極電�(ID)�6.7A(在 10V 柵極�(qū)�(dòng)下)
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�40mΩ(典型值,VGS=10V�
  總功�(Ptot)�3.5W
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +150°C

特�

TF2005M-TR 具有以下主要特性:
  1. 低導(dǎo)通電� (RDS(on)),可有效減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  3. 較高的雪崩擊穿能力,增強(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì)(TO-252�,便于在緊湊的空間內(nèi)�(jìn)行布局�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品制造需求�
  6. 支持較寬的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需求�

�(yīng)�

TF2005M-TR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路的設(shè)�(jì)�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的功率管理�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器應(yīng)用�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理解決方案�

替代型號(hào)

IRF540N, FQP18N06L, AO3400

tf2005m-tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)