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HY27US08121B-TPCB 發(fā)布時間 時間:2025/5/19 9:16:17 查看 閱讀:18

HY27US08121B-TPCB 是一款由 Hynix(海力士)生產(chǎn)的 NAND Flash 存儲芯片。該芯片采用 8Gbit 的存儲容量,使用了 3.3V 的工作電壓設(shè)計,主要應(yīng)用于需要大容量存儲的嵌入式系統(tǒng)、消費電子以及通信設(shè)備中。
  該型號屬于多級單元(MLC)NAND Flash 系列,支持標(biāo)準(zhǔn)的 ONFI(Open NAND Flash Interface)協(xié)議,具有較快的數(shù)據(jù)傳輸速度和較長的使用壽命。

參數(shù)

容量:8Gbit
  工作電壓:3.3V
  接口類型:ONFI 標(biāo)準(zhǔn)接口
  封裝形式:TSOP
  數(shù)據(jù)傳輸速率:最高可達(dá) 50MB/s
  擦寫壽命:約 5000 次
  工作溫度范圍:0°C 至 70°C
  存儲溫度范圍:-40°C 至 85°C

特性

HY27US08121B-TPCB 提供了高密度的存儲解決方案,其主要特性包括:
  1. 大容量:單顆芯片即可提供 8Gbit 的存儲空間,適用于多種存儲需求。
  2. 高性能:支持高達(dá) 50MB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,能夠滿足快速讀寫的需求。
  3. 可靠性:采用了 MLC 技術(shù),具備較高的擦寫壽命和數(shù)據(jù)保持能力。
  4. 兼容性強:遵循 ONFI 協(xié)議標(biāo)準(zhǔn),可與主流主控芯片兼容。
  5. 封裝緊湊:采用 TSOP 封裝,適合于對空間要求嚴(yán)格的設(shè)備。
  6. 工作電壓低:僅需 3.3V 的供電,有助于降低功耗和熱量產(chǎn)生。

應(yīng)用

HY27US08121B-TPCB 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 嵌入式系統(tǒng):如工業(yè)控制、智能家居和安防監(jiān)控等需要穩(wěn)定存儲的場景。
  2. 消費類電子產(chǎn)品:例如 MP3 播放器、數(shù)碼相機和其他便攜式設(shè)備。
  3. 移動通信設(shè)備:包括手機、平板電腦及其他移動終端中的固件或用戶數(shù)據(jù)存儲。
  4. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 中的一個存儲單元,提供高效的大容量存儲方案。
  5. 數(shù)據(jù)記錄設(shè)備:用于記錄傳感器數(shù)據(jù)或日志信息,保證數(shù)據(jù)的長期保存。

替代型號

HY27US08221B-TPCB, K9F1G08U0M

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