TF100N02 是一款 N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET),適用于高頻開關和功率轉(zhuǎn)換應用。該器件采用先進的半導體工藝制造,具有低導通電阻和高效率的特點,適合于開關電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等應用領域。
該 MOSFET 的額定電壓為 200V,能夠承受較高的漏源電壓,同時其連續(xù)漏極電流能力可達 100A(在特定的散熱條件下)。由于其出色的動態(tài)性能和低開關損耗,TF100N02 成為許多高性能功率電子電路的理想選擇。
最大漏源電壓:200V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:100A
導通電阻:30mΩ(典型值)
柵極電荷:35nC(典型值)
輸入電容:1200pF(典型值)
總功耗:300W
工作結溫范圍:-55℃ 至 +175℃
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓達 200V。
2. 極低的導通電阻 (Rds(on)),典型值為 30mΩ,有助于降低傳導損耗。
3. 快速開關特性,柵極電荷低至 35nC,適合高頻應用。
4. 熱穩(wěn)定性好,能夠在高溫環(huán)境下長期運行。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保設計。
6. 提供多種封裝選項以滿足不同散熱需求。
7. 內(nèi)置雪崩能量保護功能,提升可靠性。
1. 開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關。
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動控制。
3. 工業(yè)設備中用于負載切換和功率管理。
4. 新能源系統(tǒng)中的逆變器和電池管理系統(tǒng) (BMS)。
5. 汽車電子中的輔助功率模塊。
6. 高效 LED 驅(qū)動電路中的開關元件。
IRFZ44N, FQP18N20, STP100N2L