IPD60N10S4L-12是一款基于硅技術的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種功率轉換應用。其設計目標是提高效率并降低能�,非常適合于需要高性能和高可靠性的場合�
該MOSFET采用先進的制造工�,確保了其在高電流和高頻條件下依然保持優(yōu)異性能。其封裝形式為TO-220AB,這種封裝形式有助于散熱并提供良好的電氣連接�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�60A
導通電阻:3.8mΩ(典型值)
柵極電荷�55nC(典型值)
輸入電容�1500pF(典型值)
工作結溫范圍�-55℃至175�
總功耗:175W
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有效減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開關能�,能夠適應高頻應用需��
3. 高雪崩能量能力,增強器件的耐用性和可靠��
4. 內置反向恢復二極�,優(yōu)化了�(xù)流性能�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. 良好的熱性能和電氣性能,適合苛刻的工作�(huán)��
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. 電機驅動控制電路中的功率級元��
3. 逆變器和太陽能逆變系統(tǒng)的功率模��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開關�
6. 各種需要高效功率轉換的應用場景�
IPD60N10S3G-12, IRF640N