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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD60N10S4L-12

IPD60N10S4L-12 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 19:29:46 查看 閱讀�31

IPD60N10S4L-12是一款基于硅技術的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種功率轉換應用。其設計目標是提高效率并降低能�,非常適合于需要高性能和高可靠性的場合�
  該MOSFET采用先進的制造工�,確保了其在高電流和高頻條件下依然保持優(yōu)異性能。其封裝形式為TO-220AB,這種封裝形式有助于散熱并提供良好的電氣連接�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�60A
  導通電阻:3.8mΩ(典型值)
  柵極電荷�55nC(典型值)
  輸入電容�1500pF(典型值)
  工作結溫范圍�-55℃至175�
  總功耗:175W

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有效減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開關能�,能夠適應高頻應用需��
  3. 高雪崩能量能力,增強器件的耐用性和可靠��
  4. 內置反向恢復二極�,優(yōu)化了�(xù)流性能�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  6. 良好的熱性能和電氣性能,適合苛刻的工作�(huán)��

應用

1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
  2. 電機驅動控制電路中的功率級元��
  3. 逆變器和太陽能逆變系統(tǒng)的功率模��
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開關�
  6. 各種需要高效功率轉換的應用場景�

替代型號

IPD60N10S3G-12, IRF640N

ipd60n10s4l-12推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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  • 廠商
  • 封裝/批號
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ipd60n10s4l-12�(chǎn)�