TC58NVG0S3ETA0B 時(shí)間：2025/4/27 13:34:39 閱讀：32

TC58NVG0S3ETA0B 是東芝（Toshiba）推出的一款NAND閃存芯片，主要用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。該器件采用先進(jìn)的MLC（多層單元）技術(shù)，具有較高的存儲(chǔ)密度和較低的功耗。廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)類電子設(shè)備如智能手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤（SSD）以及其他需要大容量存儲(chǔ)的場合。
　　TC58NVG0S3ETA0B 提供了高可靠性和快速的數(shù)據(jù)讀寫性能，同時(shí)支持多種接口模式以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。

參數(shù)

容量：16GB
　　存儲(chǔ)類型：MLC NAND Flash
　　接口：Toggle Mode 2.0 / ONFi 3.0
　　工作電壓Vcc：2.7V 至 3.6V
　　工作溫度：-40°C 至 +85°C
　　封裝形式：BGA 169 球
　　數(shù)據(jù)保留時(shí)間：10 年
　　擦寫周期：3000 次

特性

TC58NVG0S3ETA0B 芯片具備以下特性：
　　1. 高存儲(chǔ)密度設(shè)計(jì)，能夠在小尺寸封裝內(nèi)提供大容量存儲(chǔ)。
　　2. 支持高速數(shù)據(jù)傳輸，適用于對(duì)速度要求較高的應(yīng)用場景。
　　3. 兼容多種協(xié)議，包括 Toggle Mode 2.0 和 ONFi 3.0，便于集成到不同類型的系統(tǒng)中。
　　4. 工作溫度范圍寬廣，適合在惡劣環(huán)境下使用。
　　5. 內(nèi)置 ECC（錯(cuò)誤校正碼）引擎，可有效提升數(shù)據(jù)可靠性。
　　6. 較低的功耗設(shè)計(jì)，有助于延長便攜式設(shè)備的電池壽命。

應(yīng)用

TC58NVG0S3ETA0B 主要用于以下領(lǐng)域：
　　1. 嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊。
　　2. 移動(dòng)設(shè)備如智能手機(jī)和平板電腦的內(nèi)部存儲(chǔ)。
　　3. 固態(tài)硬盤（SSD）和其他高性能存儲(chǔ)設(shè)備。
　　4. 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的大容量存儲(chǔ)解決方案。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用。