GA0603A1R8CXCAP31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),�(zhuān)為高�、高效能�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片�(jié)合了 GaN 的卓越性能與先�(jìn)的封裝技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,適用于電信基礎(chǔ)�(shè)施、工�(yè)電源�(zhuǎn)�、數(shù)�(jù)中心供電等場(chǎng)景�
型號(hào):GA0603A1R8CXCAP31G
�(lèi)型:GaN HEMT
額定電壓�650V
額定電流�30A
�(dǎo)通電阻:18mΩ
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�30A
柵極-源極電壓:�20V
功耗:30W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-4L
GA0603A1R8CXCAP31G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 18mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗�
2. 高開(kāi)�(guān)頻率支持,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
3. �(nèi)置快速恢�(fù)二極�,�(jìn)一步優(yōu)化效率�
4. �(qiáng)大的熱管理能�,允許在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),便于集成到空間受限的應(yīng)用中�
6. 支持硬開(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu),靈活性高�
7. 高可靠性和�(zhǎng)壽命�(shè)�(jì),滿(mǎn)足工�(yè)�(jí)�(yīng)用需��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)單元(PSU��
2. 通信基站功率放大��
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
4. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
5. 汽車(chē)電子中的 DC-DC �(zhuǎn)換器�
6. 高效 AC-DC � DC-DC �(kāi)�(guān)電源模塊�
7. 快速充電適配器和其他消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)��
GAN060-18E3C, TX65H018AEK, IRGB4064DPBF