TB5D1M是由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該器件采用TO-220封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點(diǎn),適合需要高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
該MOSFET的工作電壓范圍為40V,能夠承受較大的漏源極電�,并且在高頻開關(guān)條件下表�(xiàn)�(wěn)�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱性能,確保長�(shí)間運(yùn)行時(shí)的可靠��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電阻:8.5mΩ
柵極電荷�79nC
總功耗:160W
工作溫度范圍�-55� to 150�
TB5D1M的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為8.5mΩ,這有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
此外,該器件還具備快速開�(guān)能力和較高的電流承載能力,非常適合用于高功率密度的設(shè)�(jì)。其封裝形式TO-220提供良好的散熱性能,便于安裝與集成到各種電路板��
另外,TB5D1M支持較寬的工作溫度范圍,�-55℃到150�,保證在極端�(huán)境下依然可以正常工作�
TB5D1M適用于多種電力電子應(yīng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)控制
4. 太陽能逆變器及不間斷電源(UPS�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切�
由于其高電流處理能力和低�(dǎo)通電阻,它特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和低熱耗散的應(yīng)用場��
IRFZ44N, FDP55N06L