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DTA114EETL 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 12:46:02 查看 閱讀�22

DTA114EETL是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動、開�(guān)電源等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能等特�,適合要求高效能和高可靠性的�(yīng)用場合�
  DTA114EETL的設(shè)�(jì)使其能夠在較高的電壓下穩(wěn)定工�,并且具有較�(qiáng)的電流承載能力。其封裝形式通常為TO-220,這種封裝有助于散熱并支持大功率操��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�85A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.4mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  功�(Ptot)�130W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220

特�

DTA114EETL的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,支持高�(dá)85A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)��
  3. 快速開�(guān)速度,可有效減少開關(guān)損耗并提升高頻電路性能�
  4. 具備�(yōu)異的熱性能,采用TO-220封裝,有助于將熱量迅速散�(fā)到外部環(huán)境�
  5. 寬泛的工作溫度范�,可以在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
  6. �(nèi)置ESD保護(hù)�(jī)�,提升了器件在實(shí)際使用中的可靠��

�(yīng)�

DTA114EETL因其卓越的性能,適用于多種電子�(shè)備和系統(tǒng)中:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
  2. 電機(jī)�(qū)動電�,例如無刷直流電�(jī)控制和步�(jìn)電機(jī)�(qū)動�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載切��
  5. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和負(fù)載驅(qū)��
  由于其高效率和大電流能力,這款MOSFET特別適合需要高性能功率管理的場��

替代型號

IRFZ44N, STP80NF06, FDP55N06L

dta114eetl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

dta114eetl資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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dta114eetl參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�10k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)30 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 頻率 - �(zhuǎn)�250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-75,SOT-416
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�EMT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DTA114EETL-NDDTA114EETLTR