SZMM3Z3V9ST1G 是一款基于硅基材料的高性能功率 MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、電機驅(qū)動和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,適合需要高效能和高可靠性的電力電子應用。
這款芯片通過優(yōu)化溝道設計和封裝技術(shù),顯著降低了功耗并提高了系統(tǒng)效率,同時支持較高的工作電壓和電流范圍,確保在各種復雜工況下的穩(wěn)定運行。
型號:SZMM3Z3V9ST1G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(VDS):30V
最大柵源電壓(VGS):±20V
連續(xù)漏極電流(ID):9A
導通電阻(RDS(on)):3.5mΩ
柵極電荷(Qg):27nC
輸入電容(Ciss):1640pF
開關速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
1. 極低的導通電阻 RDS(on),有效減少傳導損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關性能,能夠適應高頻工作環(huán)境,降低開關損耗。
3. 高浪涌電流能力,增強器件在瞬態(tài)條件下的可靠性。
4. 小型化封裝設計,便于 PCB 布局和散熱管理。
5. 支持寬范圍的工作溫度,適用于工業(yè)級和汽車級應用場景。
6. 內(nèi)置 ESD 保護電路,提高抗靜電能力,簡化外圍設計。
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關或同步整流元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關。
3. 電機驅(qū)動電路中的半橋或全橋配置。
4. 汽車電子系統(tǒng)的負載開關和保護電路。
5. 工業(yè)控制設備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 充電器和適配器中的功率管理單元。
IRF3710, FDP5580, AO3400