SVD5867NLT4G是一款高性能的功率MOSFET器件,采用N溝道增強型技�(shù)。該芯片主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及電機�(qū)動等�(lǐng)域。其�(shè)計優(yōu)化了�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而顯著降低了功耗并提高了效率。此�,該芯片具備出色的熱性能和耐用性,能夠滿足高電流及高頻�(yīng)用場景的需��
該器件采用TO-252封裝形式,支持表面貼裝工�,便于自動化生產(chǎn)。憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠性,SVD5867NLT4G在工�(yè)控制、消費電子和通信�(shè)備中得到了廣泛應(yīng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�13A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�39nC
工作溫度范圍�-55℃至150�
封裝類型:TO-252
SVD5867NLT4G具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 較小的柵極電�(Qg),支持高頻開�(guān)�(yīng)��
3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了開關(guān)性能,特別適用于同步整流電路�
4. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)��
6. 熱阻低,散熱性能�(yōu)�,可長時間穩(wěn)定運��
7. 封裝緊湊,適合現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需��
這些特性使SVD5867NLT4G成為需要高效能和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
SVD5867NLT4G廣泛�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)或同步整流元��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及升降壓拓撲結(jié)�(gòu)�
3. 負載開關(guān),用于保護電路免受過流和短路的影��
4. 電機�(qū)�,特別是在小型直流電機控制中�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級管理�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
其卓越的電氣性能和可靠性使其在各種嚴苛�(huán)境中表現(xiàn)出色�
SVP5867NLT4G, SVD5867NLH4G