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SVD5867NLT4G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 2:06:12 查看 閱讀�9

SVD5867NLT4G是一款高性能的功率MOSFET器件,采用N溝道增強型技�(shù)。該芯片主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及電機�(qū)動等�(lǐng)域。其�(shè)計優(yōu)化了�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而顯著降低了功耗并提高了效率。此�,該芯片具備出色的熱性能和耐用性,能夠滿足高電流及高頻�(yīng)用場景的需��
  該器件采用TO-252封裝形式,支持表面貼裝工�,便于自動化生產(chǎn)。憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠性,SVD5867NLT4G在工�(yè)控制、消費電子和通信�(shè)備中得到了廣泛應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�13A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�39nC
  工作溫度范圍�-55℃至150�
  封裝類型:TO-252

特�

SVD5867NLT4G具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 較小的柵極電�(Qg),支持高頻開�(guān)�(yīng)��
  3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了開關(guān)性能,特別適用于同步整流電路�
  4. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)��
  6. 熱阻低,散熱性能�(yōu)�,可長時間穩(wěn)定運��
  7. 封裝緊湊,適合現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需��
  這些特性使SVD5867NLT4G成為需要高效能和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

SVD5867NLT4G廣泛�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及升降壓拓撲結(jié)�(gòu)�
  3. 負載開關(guān),用于保護電路免受過流和短路的影��
  4. 電機�(qū)�,特別是在小型直流電機控制中�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級管理�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  其卓越的電氣性能和可靠性使其在各種嚴苛�(huán)境中表現(xiàn)出色�

替代型號

SVP5867NLT4G, SVD5867NLH4G

svd5867nlt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

svd5867nlt4g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格1 : �6.28000剪切帶(CT�2,500 : �2.43280卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)22A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)39 毫歐 @ 11A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)675 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.3W(Ta��43W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK-3
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片),SC-63