SUP75N03-04-E3是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,主要應(yīng)用于低電壓和高效率的功率�(zhuǎn)換場景。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及�(yōu)異的熱性能等特性,適合在便攜式�(shè)�、消費類電子�(chǎn)品及工業(yè)控制中使用�
這款MOSFET采用TO-252 (DPAK) 封裝形式,具備良好的散熱特性和�(jī)械穩(wěn)定性,能夠有效降低電路損耗并提高系統(tǒng)可靠��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�75A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
柵極電荷�29nC
輸入電容�1690pF
總耗散功率(Tc=25°C):110W
工作�(jié)溫范圍:-55°C�+175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少導(dǎo)通損�,提升整體效率�
2. 快速的開關(guān)特�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩耐量,增�(qiáng)了器件的可靠性和耐用��
4. TO-252封裝形式,提供出色的散熱能力和安裝便利��
5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種�(fù)雜工��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
1. 開關(guān)電源中的同步整流電路�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于負(fù)載點�(wěn)壓�
3. 電池保護(hù)電路與電�(jī)�(qū)動電��
4. 消費類電子產(chǎn)品的功率管理模塊�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率開�(guān)元件�
6. 通信�(shè)備中的高效功率傳輸部分�
SUP75N03L-04-E3
SUP75N03-08-E3
IRF7727
FDP75N03L