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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STW8N120K5

STW8N120K5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/14 19:15:34 查看 閱讀�20

STW8N120K5是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝形式。該器件適用于高壓開�(guān)�(yīng)用,如開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。它具有低導(dǎo)通電�、高雪崩能力以及出色的熱性能,能夠滿足高效能功率�(zhuǎn)換的需��
  這款MOSFET的最大漏源電壓為1200V,具備快速開�(guān)特�,同�(shí)在高溫環(huán)境下也具有較高的可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω(典型�,當(dāng)Vgs=15V�(shí)�
  柵極電荷�55nC(典型值)
  開關(guān)速度:快速恢�(fù)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

STW8N120K5的主要特�(diǎn)是其高壓性能和較低的�(dǎo)通電�,能夠在高壓條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。此�,它的柵極電荷較�,有助于降低開關(guān)損耗,并提高整體系�(tǒng)效率�
  該器件還具有良好的熱�(wěn)定性和抗雪崩能力,使其在惡劣的工作�(huán)境中仍能保持可靠�(yùn)�。其快速開�(guān)特性也有助于減少電磁干擾(EMI),并在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  由于采用了TO-247封裝,STW8N120K5具有較好的散熱性能,便于用戶�(jìn)行熱管理和設(shè)�(jì)�(yōu)��

�(yīng)�

STW8N120K5適用于多種高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  3. 太陽(yáng)能逆變�
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 高壓�(fù)載切換控�
  這些�(yīng)用均依賴于其高耐壓能力和快速開�(guān)性能,從而實(shí)�(xiàn)更高效和可靠的電路設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

STW8N120H5
  STW8N120K6
  IRFP460
  FDP16N120

stw8n120k5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stw8n120k5參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �63.60000管件
  • 系列MDmesh? K5
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�1200 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2 歐姆 @ 2.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)13.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)505 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)130W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247
  • 封裝/外殼TO-247-3