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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > STP7N95K3

STP7N95K3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/19 15:12:20 查看 閱讀�247

100%雪崩測試
  超大雪崩性能
  柵極電荷最小化
  非常低的固有電容
  齊納保護(hù)

技�(shù)參數(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:1.1Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率�150 W
  閾值電壓:4 V
  漏源極電�(Vds)�950 V
  連續(xù)漏極電流(Ids)�7.2A
  上升�(shí)間:9 ns
  輸入電容(Ciss)�1031pF 100V(Vds)
  額定功率(Max)�150 W
  下降�(shí)間:23 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�150W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-220-3

外形尺寸

長度�10.4 mm
  寬度�4.6 mm
  高度�15.75 mm
  封裝:TO-220-3

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
  REACH SVHC�(biāo)�(zhǔn):No SVHC

其他說明

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tube
  制造應(yīng)用:Industrial,Power Management

stp7n95k3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

stp7n95k3參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STP7N95K3 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SuperMESH™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)950V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.35 歐姆 @ 3.6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1031pF @ 100V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-8792-5