STP4N150是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高壓N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,適用于多種�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(yīng)用領(lǐng)域。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩擊穿能�,能夠在高電壓條件下提供高效的功率轉(zhuǎn)��
STP4N150的最大額定漏源電壓為150V,連續(xù)漏極電流�4A(在25°C�(shí)�。其�(yōu)異的電氣性能和可靠性使其成為許多工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:2.8Ω(典型值)
柵極閾值電壓:2V~4V
總功耗:105W
工作�(jié)溫范圍:-55°C~175°C
STP4N150具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá)150V的漏源電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:典型的導(dǎo)通電阻僅�2.8Ω,有助于降低功率損耗并提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度:具備快速的�(kāi)�(guān)性能,減少開(kāi)�(guān)損耗,非常適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
4. �(qiáng)大的雪崩擊穿能力:增�(qiáng)了器件在異常情況下的保護(hù)能力�
5. 寬溫度范圍:支持�-55°C�175°C的工作結(jié)溫范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保設(shè)�(jì),滿(mǎn)足國(guó)際環(huán)保法�(guī)要求�
STP4N150廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源:用于DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC適配器等電源管理模塊�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于家用電器、工�(yè)�(shè)備中的小型電�(jī)控制�
3. 逆變器:用于太陽(yáng)能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
4. LED照明:用作恒流或恒壓�(qū)�(dòng)控制��
5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如游戲機(jī)、筆記本電腦充電器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
IRFZ44N, FQP12N50