BSC0504NSI 是一� N 淪道 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于開關電源、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等場�。該器件具有低導通電阻和快速開關特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
這款 MOSFET 采用 SOT23 封裝形式,非常適合空間受限的應用�(huán)�。其高可靠性和�(wěn)定性使其成為眾多電子設計中的理想選擇�
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.1A
導通電阻:1.9Ω
總柵極電荷:3nC
輸入電容�220pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
BSC0504NSI 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗,提升整體效率�
2. 快速開關性能,適合高頻應用場��
3. 小型封裝(SOT23),節(jié)� PCB 空間�
4. 高度�(wěn)定的電氣性能,在極端溫度范圍�(nèi)仍能保持良好的表�(xiàn)�
5. 低柵極電�,有助于降低�(qū)動功��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
BSC0504NSI 的這些特性使其在消費類電子產(chǎn)品、工�(yè)控制設備以及汽車電子領域中廣泛應��
BSC0504NSI 廣泛應用于以下場景:
1. 開關模式電源(SMPS)中的初級側(cè)或次級側(cè)開關�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓功能�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開��
4. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
5. 各種負載切換和保護電��
由于其出色的電氣特性和緊湊的封裝尺�,BSC0504NSI 成為許多便攜式設備和小型化設計的理想選擇�
BSC0504LSG
IRLML6402
FDS6670A