STP165N10F4是由意法半導體(STMicroelectronics)制造的MOSFET器件。該器件屬于N溝道增強型功率MOSFET,采用MDAP19封裝形式�
STP165N10F4設計用于高效�、低損耗的應用場景。其出色的導通電阻和開關性能使其非常適合于要求高效能及高溫穩(wěn)定性的工業(yè)和消費類應用�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�165A
導通電阻:1.3mΩ
柵極電荷�280nC
輸入電容�4280pF
總功耗:320W
工作溫度范圍�-55� to 175�
STP165N10F4具備非常低的導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少傳導損�,并提升整體效率�
此外,該器件具有良好的熱性能和電氣性能,適合在惡劣�(huán)境下使用。它的高雪崩能量能力增強了其在瞬�(tài)條件下的�(wěn)健��
該MOSFET還具備快速開關速度,能夠有效降低開關損耗,在高頻應用中表現(xiàn)出色�
由于采用了先進的工藝技�,STP165N10F4能夠在高電流和高電壓條件下可靠運�,同時保持較低的溫度上升�
STP165N10F4廣泛應用于各種功率轉換和控制領域�
典型應用包括但不限于:電動車輛的驅動系統(tǒng)、工�(yè)電機控制、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變�、直�-直流轉換器以及高性能開關電源(SMPS��
此外,它也適用于需要大電流處理能力的電池管理系�(tǒng)(BMS)和負載切換電路等場��
IRFP260N
IXTH14N10L
STP170N10F4