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STP165N10F4 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 19:05:47 查看 閱讀�18

STP165N10F4是由意法半導體(STMicroelectronics)制造的MOSFET器件。該器件屬于N溝道增強型功率MOSFET,采用MDAP19封裝形式�
  STP165N10F4設計用于高效�、低損耗的應用場景。其出色的導通電阻和開關性能使其非常適合于要求高效能及高溫穩(wěn)定性的工業(yè)和消費類應用�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�165A
  導通電阻:1.3mΩ
  柵極電荷�280nC
  輸入電容�4280pF
  總功耗:320W
  工作溫度范圍�-55� to 175�

特�

STP165N10F4具備非常低的導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少傳導損�,并提升整體效率�
  此外,該器件具有良好的熱性能和電氣性能,適合在惡劣�(huán)境下使用。它的高雪崩能量能力增強了其在瞬�(tài)條件下的�(wěn)健��
  該MOSFET還具備快速開關速度,能夠有效降低開關損耗,在高頻應用中表現(xiàn)出色�
  由于采用了先進的工藝技�,STP165N10F4能夠在高電流和高電壓條件下可靠運�,同時保持較低的溫度上升�

應用

STP165N10F4廣泛應用于各種功率轉換和控制領域�
  典型應用包括但不限于:電動車輛的驅動系統(tǒng)、工�(yè)電機控制、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變�、直�-直流轉換器以及高性能開關電源(SMPS��
  此外,它也適用于需要大電流處理能力的電池管理系�(tǒng)(BMS)和負載切換電路等場��

替代型號

IRFP260N
  IXTH14N10L
  STP170N10F4

stp165n10f4推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stp165n10f4參數(shù)

  • 其它有關文件STP165N10F4 View All Specifications
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™ DeepGATE™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫歐 @ 60A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds10500pF @ 25V
  • 功率 - 最�315W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-10710-5